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集成电路制造工艺员题库 / 集成电路制造工艺员（三级）题库

[单选] 铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。

A . 等离子体刻蚀
B . 反应离子刻蚀
C . 湿法刻蚀
D . 溅射刻蚀

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集成电路制造工艺员（三级）题库

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