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集成电路制造工艺员题库 / 集成电路制造工艺员（三级）题库

[单选] 当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。

A . 温度
B . 硅-二氧化硅界面处的化学反应
C . 氧的扩散速率
D . 压力

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