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[单选] 在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

A . 栅氧化层
B . 沟槽
C . 势垒
D . 场氧化层

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集成电路制造工艺员（三级）题库

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