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集成电路制造工艺员题库 / 集成电路制造工艺员(三级)题库
[多选] 干氧氧化法具备以下一系列的优点()。
A . 生长的二氧化硅薄膜均匀性好
B . 生长的二氧化硅干燥
C . 生长的二氧化硅结构致密
D . 生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
E . 生长的二氧化硅掩蔽能力强
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集成电路制造工艺员(三级)题库
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