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东北大学 / 电力电子电路Ⅰ
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东北大学 / 电力电子电路Ⅰ
正确率:100%
P-MOSFET栅偏压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。()
A.错误
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电力电子电路Ⅰ
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