下列说法中错误的是_______。
A、低位多体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问多个模块。
B、高位多体交叉存储器能提高存储器的读写速度。
C、高位多体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问多个模块。
D、低位多体交叉存储器能提高存储器的读写速度。